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應科院創新3D集成電路平台技術

香港應用科技研究院

應科院研發的創新3D集成電路技術,以第三代半導體器件為平台,提高97%電力轉換及傳輸的效率和頻率,同時提升50%散熱功能,為新一代電力電子產品提供高效及環保的解決方案。

創新3D集成電路技術具備「3D封裝嵌入式電感」、「超大功率3D全塑封雙面散熱模塊」、「『垂直—驅動—氮化鎵(GaN)』功率轉換單元」及「氮化鎵基功率轉換模塊」等四個技術,以其高密度及效率優點,有效管理電源。

  • 「3D封裝嵌入式電感」:嵌入式電感元件可以直接放在控制芯片頂部,縮短電感回路,以提升電能轉換效率及功率密度。
  • 「超大功率3D全塑封雙面散熱模塊」:通過採用三明治式全塑封封裝結構提供雙側散熱界面,以突破傳統功率模塊的集成功率密度及散熱極限。
  • 「『垂直—驅動—氮化鎵』功率轉換單元」:通過三維垂直堆疊封裝技術,驅動氮化鎵基功率器件,確保在高頻環境下的穩定及高效運行。
  • 「氮化鎵基功率轉換模塊」:氮化鎵具有較大的禁帶寬度,可以在更高電壓、頻率及溫度等極端環境下,加快能量轉換速度及效率。

創新3D集成電路技術適合應用於耗電量及發熱量高的大小型設備,範圍包括﹕5G基站、大型數據中心、工業控制、機器人及各種快速充電器等應用。這項技術不單推動綠色低碳生活,還能支持智慧城市發展。

項目負責部門及負責人: 
高子陽博士
香港應用科技研究院副高級總監

榮獲獎項:

  • IEEE第一版國際寬禁帶半導體技術路線圖2019(模範技術方案)
  • 2020年度國家科學技術進步獎(一等獎)
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